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會員注冊1、本征半導體
實際應用最多的半導體是硅和鍺，它們原子的最外層電子（價電子）都是四個。完全純凈的、結構完整的半導體，稱為本征半導體（晶體結構）。
（1）硅和鍺的晶體結構
在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。
圖1 硅和鍺的具體結構
（2）本征半導體的導電機理
（a）在絕對0度和沒有外界激發時,價電子被共價鍵束縛，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），不導電，相當于絕緣體。
（b）在常溫下，由于熱激發，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。即出現電子-空穴對。溫度越高，本征半導體的導電能力越強，溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素，這是半導體的一大特點。
（3）本征半導體的導電機理
在電場力作用下，空穴吸引臨近的電子來填補，這樣的結果相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此認為空穴也是載流子，是帶正電的粒子。
在半導體外加電壓的作用下，出現兩部分電流:自由電子定向移動、空穴的遷移。
本征半導體中由于電子-空穴數量極少，導電能力極低。實用時采用雜質半導體（P型、N型）。
（a）在絕對0度和沒有外界激發時,價電子被共價鍵束縛，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），不導電，相當于絕緣體。
（b）在常溫下，由于熱激發，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。即出現電子-空穴對。溫度越高，本征半導體的導電能力越強，溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素，這是半導體的一大特點。
（3）本征半導體的導電機理
在電場力作用下，空穴吸引臨近的電子來填補，這樣的結果相當于空穴的遷移，而空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此認為空穴也是載流子，是帶正電的粒子。
在半導體外加電壓的作用下，出現兩部分電流:自由電子定向移動、空穴的遷移。
本征半導體中由于電子-空穴數量極少，導電能力極低。實用時采用雜質半導體（P型、N型）。
2、雜質半導體
在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。
使自由電子濃度大大增加的雜質半導體稱為N型半導體，使空穴濃度大大增加的雜質半導體稱為P型半導體。
N型半導體：摻入微量5價元素（磷） 多子：電子 少子：空穴
P型半導體：摻入微量3價元素（硼） 多子：空穴 少子：電子
半導體的導電特點：
（1）當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。
（2）往純凈的半導體中摻雜，會使它的導電能力急劇增加。
在本征半導體中摻入某些微量的雜質，就會使半導體的導電性能發生顯著變化。
使自由電子濃度大大增加的雜質半導體稱為N型半導體，使空穴濃度大大增加的雜質半導體稱為P型半導體。
N型半導體：摻入微量5價元素（磷） 多子：電子 少子：空穴
P型半導體：摻入微量3價元素（硼） 多子：空穴 少子：電子
半導體的導電特點：
（1）當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。
（2）往純凈的半導體中摻雜，會使它的導電能力急劇增加。
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