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會員注冊（1）湯姆孫測電子的何質比的方法:
如圖，玻璃管內抽成真空，陽極A與陰極K之間維持數千伏特的電壓，靠管內殘存氣體的離子在陰極引起的二次發射產生電子流。陽極A和第二個金屬屏A'的中央各有一個小孔，在K、A之間被加速了的電子流，只有很窄一束能
夠通過這個孔。如果沒有玻璃管中部的那些裝置，狹窄的電子束依靠慣性前進，直射在玻璃管另一端的熒光屏S的中央，形成一個光點O。 C、D為電容器的兩極板，在它們中間可產生一個豎直方向的電場。在圓形區域里，可由管外的電磁鐵產生一方向垂直紙面的磁場。適當調節電場與磁場的強度，可使它們作用在電子上的力達到平衡即 eE=evB,或v=E/B。 由E和B的數值可以測出電子流的速度v。再將電場切斷，電子束在磁場區內將沿圓弧運動，R=mv/qB，因而電子的何質比為 ，半徑R可以直接從儀器上來確定。
（2）磁聚焦法:
如圖，用磁聚焦法測荷質比裝置的一種。真空玻璃管中裝有熱陰極K和有小孔的陽極A，在A、K之間加電壓ΔU時，由陽極小孔射出的電子的動能為 ，從而其速率為 。在電容器C上加一不大的橫向交變電場，使不同時刻通過
這里的電子發生不同程度的偏轉。在電容器C和熒光屏S之間加一均勻縱向磁場，如上所述，電子從C出來后將沿螺旋線運動，到 的地方聚焦。適當的調節B的大小，可使電子流的焦點剛好落在熒光屏S上。這時，h就等于C到S間的距離l，于是從上述h與v的表達式中消去v即得 ，上式右端各量都可以測出，由此即可確定e/m。
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