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會員注冊對于穩(wěn)恒電流，安培環(huán)路定理可寫為
即磁場強度矢量沿任意閉合路徑的線積分等于該閉合回路所包圍的傳導(dǎo)電流的總和。由于傳導(dǎo)電流的連續(xù)性，在以曲線
為邊線的任意兩個曲面 穿過的電流I相等。若把安培環(huán)路定理應(yīng)用于含有電容器的非穩(wěn)恒電路中，有
對
面 
對
面
在穿過以曲線為邊線的任意兩個曲面
的電流不相等。說明在非穩(wěn)恒情況下，安培環(huán)路定理原來的形式已不再適用，必須加以修改。麥克斯韋根據(jù)電場與磁場的相似性，推廣了安培環(huán)路定理，提出了位移電流假說，解決了上述矛盾。
2、位移電流假說
在非穩(wěn)恒條件下，根據(jù)電荷守恒定律，單位時間內(nèi)由
面流出的電量應(yīng)等于 面內(nèi)的電量減少，即
由介質(zhì)中的高斯定理
得
即
式中
為傳導(dǎo)電流密度，麥克斯韋將
定義為位移電流密度，用
表示，即
可見，位移電流就是變化的電場。而
上式左邊表示流入閉合面的傳導(dǎo)電流，右邊表示流出閉合面的位移電流。且
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