可控硅檢測方法與經驗

 可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。

1. 可控硅的特性。

 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。

雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。2. 單向可控硅的檢測。

萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

3. 雙向可控硅的檢測。

用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1、G極后，再仔細測量A1、G極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接第一陽極A1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接第一陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。

晶閘管(可控硅)的管腳判別
晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。

場效應管檢測
一、用指針式萬用表對場效應管進行判別

（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極

根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。

（2）用測電阻法判別場效應管的好壞

測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。

（3）用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力

具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場效應管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極Ｇ，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發生變化，也就是漏源極間電阻發生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。

根據上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住Ｇ極后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。

運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，試驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動；少數管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進行測量時表針可能不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。

（4）用測電阻法判別無標志的場效應管

首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。

（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小

對ＶＭＯＳ Ｎ溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內電壓較高。當用手接觸柵極Ｇ時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。

二、.場效應管的使用注意事項
（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。

（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。

（3）MOS場效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時最好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。

（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。

（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸５毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。

總之，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。

三.VMOS場效應管
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（0.1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到廣泛應用。

眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:第一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最后垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。

下面介紹檢測VMOS管的方法。
1．判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

 3．測量漏-源通態電阻RDS（on）
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。

由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．檢查跨導

將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。

注意事項：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應交換表筆的位置。

（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。

（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。

（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。

（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達到30W。

（6）多管并聯后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

單向可控硅、雙向可控硅檢測

可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。 單向可控硅有陽極 A 、陰極 K 、控制極 G 三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極 A1 （ T1 ），第二陽極 A2 （ T2 ）、控制極 G 三個引出腳。

只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。

雙向可控硅第一陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當第一陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。

 單向可控硅的檢測。 萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

雙向可控硅的檢測。 用萬用表電阻 R*1Ω 擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽極 A1 和控制極 G ，另一空腳即為第二陽極 A2 。確定 A1 、 G 極后，再仔細測量 A1 、 G 極間正、反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為第一陽極 A1 ，紅表筆所接引腳為控制極 G 。將黑表筆接已確定的第二陽極 A2 ，紅表筆接第一陽極 A1 ，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將 A2 、 G 極瞬間短接，給 G 極加上正向觸發電壓， A2 、 A1 間阻值約 10 歐姆左右。隨后斷開 A2 、 G 間短接線，萬用表讀數應保持 10 歐姆左右。互換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極 A2 ，黑表筆接第一陽極 A1 。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將 A2 、 G 極間再次瞬間短接，給 G 極加上負的觸發電壓， A1 、 A2 間的阻值也是 10 歐姆左右。隨后斷開 A2 、 G 極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在 10 歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。 檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節 1.5V 干電池，以提高觸發電壓。 晶閘管 ( 可控硅 ) 的管腳判別 晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬用表 R*1K 擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于 R*10K 擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。

各種晶閘管(可控硅)的檢測方法

1．單向晶閘管的檢測
(1)判別各電極：根據普通晶閘管的結構可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結，具有單向導電特性，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯的PN結。因此，通過用萬用表的R×100或R×1 k Q檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。
具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個電極為止。
也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。
普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。
例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。
平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。
金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。
塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。
圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。

 
(2)判斷其好壞：用萬用表R×1 kΩ檔測量普通晶閘管陽極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時均應為無窮大(∞)；若測得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內部擊穿短路或漏電。
測量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時應有類似二極管的正、反向電阻值(實際測量結果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小于2 kΩ)，反向電阻值較大(大于80 kΩ)。若兩次測量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效，其G、K極問PN結已失去單向導電作用。
測量陽極A與門極G之間的正、反向電阻，正常時兩個阻值均應為幾百千歐姆(kΩ)或無窮大，若出現正、反向電阻值不一樣(有類似二極管的單向導電)。則是G、A極之間反向串聯的兩個PN結中的一個已擊穿短路。
(3)觸發能力檢測：對于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或導線將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當于給G極加上正向觸發電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發而導通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動，只將G

極的觸發電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發性能良好。

對于工作電流在5 A以上的中、大功率普通晶閘管，因其通態壓降VT維持電流IH及門極觸發電壓Vo均相對較大，萬用表R×1 kΩ檔所提供的電流偏低，晶閘管不能完全導通，故檢測時可在黑表筆端串接一只200 Ω可調電阻和1～3節1．5 V干電池(視被測晶閘管的容量而定，其工作電流大于100 A的，應用3節1．5 V干電池)，如圖3所示。 
 
也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發能力。電路中，vT為被測晶閘管，HL為6．3 V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6 V電源(可使用4節1．5 V干電池或6 V穩壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。

 
當按鈕S未接通時，晶閘管VT處于阻斷狀態，指示燈HL不亮(若此時HL
亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發電壓)，若指示燈HL一直點亮，則說明 晶閘管的觸發能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導通壓降大(正常時導通壓降應為1 v左右)。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發性能不良。

2．雙向晶閘管的檢測
(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。
找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。
螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。
金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。
塑封(TO—220)雙向晶閘管的中間引腳為主電極T2，該極通常與自帶小散熱片相連。
圖5是幾種雙向晶閘管的引腳排列。

 
 
(2)判別其好壞：用萬用表R×1或R×10檔測量雙向晶閘管的主電極T1與主電極T2之間、主電極T2與門極G之間的正、反向電阻值，正常時均應接近無窮大。若測得電阻值均很小，則說明該晶閘管電極問已擊穿或漏電短路。
測量主電極T1與門極G之問的正、反向電阻值，正常時均應在幾十歐姆(Ω)至一百歐姆(Ω)之間(黑表筆接T1極，紅表筆接G極時，測得的正向電阻值較反向電阻值略小一些)。若測得T1極與G極之間的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該晶閘管已開路損壞。
(3)觸發能力檢測：對于工作電流為8 A以下的小功率雙向晶閘管，可用萬用表R×1檔直接測量。測量時先將黑表筆接主電極T2，紅表筆接主電極T1，然后用鑷子將T2極與門極G短路，給G極加上正極性觸發信號，若此時測得的電阻值由無窮大變為十幾歐姆(Ω)，則說明該晶閘管已被觸發導通，導通方向為T2→T1。
再將黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，用鑷子將T2極與門極G之間短路，給G極加上負極性觸發信號時，測得的電阻值應由無窮大變為十幾歐姆，則說明該晶閘管已被觸發導通，導通方向為T1→T2。
若在晶閘管被觸發導通后斷開G極，T2、T1極間不能維持低阻導通狀態而阻值變為無窮大，則說明該雙向晶閘管性能不良或已經損壞。若給G極加上正(或負)極性觸發信號后，晶閘管仍不導通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無窮大)，則說明該晶閘管已損壞，無觸發導通能力。
對于工作電流在8 A以上的中、大功率雙向晶閘管，在測量其觸發能力時，可先在萬用表的某支表筆上串接1～3節1．5 V干電池，然后再用R×1檔按上述方法測量。
對于耐壓為400 V以上的雙向晶閘管，也可以用220 V交流電壓來測試其觸發能力及性能好壞。
圖6是雙向晶閘管的測試電路。電路中，FL為60 W／220 V白熾燈泡，VT為被測雙向晶閘管，R為100Ω限流電阻，S為按鈕。

將電源插頭接入市電后，雙向晶閘管處于截止狀態，燈泡不亮(若此時燈泡正常發光，則說明被測晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短 路；若燈泡微亮，則說明被測晶閘管漏電損壞)。按動一下按鈕S，為晶閘管的門極G提供觸發電壓信號，正常時晶閘管應立即被觸發導通，燈泡正常發光。若燈泡不能發光，則說明被測晶閘管內部開路損壞。若按動按鈕s時燈泡點亮，松手后燈泡又熄滅，則表明被測晶閘管的觸發性能不良。

3.門極關斷晶閘管的檢測
1)判別各電極：門極關斷晶閘管三個電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽極A。
(2)觸發能力和關斷能力的檢測：可關斷晶閘管觸發能力的檢測方法與普通晶閘管相同。檢測門極關斷晶閘管的關斷能力時，可先按檢測觸發能力的方法使晶閘管處于導通狀態，即用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發信號時，晶閘管被觸發導通，其A、K極間電阻值由無窮大變為低阻狀態。斷開A極與G極的短路點后，晶閘管維持低阻導通狀
態，說明其觸發能力正常。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發信號，若此時A極與K極間電阻值由低阻值變為無窮大，則說明晶閘管的關斷能力正常，圖7是關斷能力的檢測示意圖。

 
也可以用圖8所示電路來檢測門極關斷晶閘管的觸發能力和關斷能力。電路中，EL為6．3 V指示燈(小電珠)，S為轉換開關，VT為被測晶閘管。當開關S關斷時，晶閘管不導通，指示燈不亮。將開關S的K1觸點接通時，為G極加上正向觸發信號，指示燈亮，說明晶閘管已被觸發導通。若將開關S斷開，指示燈維持發光，則說明晶閘管的觸發 能力正常。若將開關s的K2觸點接通，為G極加上反向 觸發信號，指示燈熄滅，則說明晶閘管的關斷能力正常。

4．溫控晶閘管的檢測
(1)判別各電極：溫控晶閘管的內部結構與普通晶 閘管相似，因此也可以用判別普通晶閘管電極的方法 來找出溫控晶閘管的各電極。
(2)性能檢測：溫控晶閘管的好壞也可以用萬用表 大致測出來，具體方法可參考普通晶閘管的檢測方法。
圖9是溫控晶閘管的測試電路。電路中，R是分流 電阻，用來設定晶閘管VT的開關溫度，其阻值越小，開 關溫度設置值就越高。c為抗干擾電容，可防止晶閘管 vT誤觸發。HL為6．3 v指示燈(小電珠)，S為電源開關。 
 
接通電源開關s后，晶閘管VT不導通，指示燈HL不亮。用電吹風“熱風檔”給晶閘管VT加溫，當其溫度達到設定溫度值時，指示燈亮，說明晶閘管VT已被觸發導通。若再用電吹風“冷風”檔給晶閘管VT降溫(或待其自然冷卻)至一定溫度值時，指示燈能熄滅，則說明該晶閘管性能良好。若接通電源開關后指示燈即亮或給晶閘管加溫后指示燈不亮，或給晶閘管降溫后指示燈不熄滅，則是被測晶閘管擊穿或性能不良。

5.光控晶閘管檢測
用萬用表檢測小功率光控晶閘管時，可將萬用表置于R×1檔，在黑表筆上串接1～3節1．5 V干電池，測量兩引腳之間的正、反向電阻值，正常時均應為無窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口，此時應能測出一個較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為無窮大。在較小電阻值的一次測量中，黑表筆接的是陽極A，紅表筆接的是陰極K。
也可用圖lO中電路對光控晶閘管進行測量。接通電源開關S，用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為其加上觸發光源(大功率光控晶閘管自帶光源，只要將其光纜中的發光二極管或半導體激光器加上工作電壓即可，不用外加光源)后，指示燈EL應點亮，撤離光源后指示燈EL應維持發光。

若接通電源開關S后(尚未加光源)，指示燈FL即點亮，則說明被測晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關、并加上觸發光源后，指示燈EL仍不亮，在被測晶閘管電極連接正 確的情況下，則是該晶閘管內部損壞。若加上觸發光源后，指示燈發光，但取消光源后指示燈即熄滅，則說明該晶閘管觸發性能不良。
6.BTG晶閘管的檢測
(1)判別各電極：根據BTG晶閘管的內部結構可知，其陽極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個正、反向串聯的PN結，而陽極A與門極G之問卻只有一個PN結。因此，只要用萬用表測出A極和G極即可。
將萬用表置于R×1 kΩ檔，兩表筆任接被測晶閘管的某兩個引腳(測其正、反向電阻值)，若測出某對引腳為低阻值時，則黑表筆接的陽極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個引腳即是陰極K。
(2)判斷其好壞：用萬用表R×1 kΩ檔測量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時，陽極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無窮大；陽極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時)為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無窮大。若測得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說明該晶閘管已短路損壞。
(3)觸發能力檢測：將萬用表置于R×1 Ω檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得阻值應為無窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個人體感應信號，若此時A、K極之間的電阻值由無窮大變為低阻值(數歐姆)，則說明晶閘管的觸發能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。