可控硅檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

 可控硅（SCR）國(guó)際通用名稱為Thyyistoy，中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。

1. 可控硅的特性。

 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。
只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。

雙向可控硅第一陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)?shù)谝魂?yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)啵�此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。2. 單向可控硅的檢測(cè)。

萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

3. 雙向可控硅的檢測(cè)。

用萬(wàn)用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽(yáng)極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽(yáng)極A2。確定A1、G極后，再仔細(xì)測(cè)量A1、G極間正、反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為第一陽(yáng)極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)極A2，紅表筆接第一陽(yáng)極A1，此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右�；�換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽(yáng)極A2，黑表筆接第一陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測(cè)雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。

檢測(cè)較大功率可控硅時(shí)，需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。

晶閘管(可控硅)的管腳判別
晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬(wàn)用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽(yáng)極。再將萬(wàn)用表置于R*10K擋，用手指捏住陽(yáng)極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動(dòng)，說明紅表筆所接為陰極，不擺動(dòng)則為控制極。

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)
一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別

（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測(cè)出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結(jié)，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試，直到判別出柵極為止。

（2）用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞

測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥�路，則說明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。

（3）用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力

具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極Ｇ，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說明管是壞的。

根據(jù)上述方法，我們用萬(wàn)用表的R×100檔，測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏�。菢O后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。

運(yùn)用這種方法時(shí)要說明幾點(diǎn)：首先，在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí)，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減小），也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗(yàn)表明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何，只要表針擺動(dòng)幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管也適用。但要注意，MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測(cè)量完畢，應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。

（4）用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管

首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對(duì)應(yīng)位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。

（5）用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小

對(duì)ＶＭＯＳ Ｎ溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極Ｇ時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小，用此法測(cè)時(shí)，反向阻值變化不大。

二、.場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)
（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。

（2）各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是ＰＮ結(jié)，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。

（3）MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi)，保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮。

（4）為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，絕對(duì)不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。

（5）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時(shí)，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。

對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。

總之，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。

三.VMOS場(chǎng)效應(yīng)管
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流小（0.1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。

VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù)，即在柵-源電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管。

國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。

下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法。
1．判定柵極G

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因?yàn)樗�和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

 3．測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。

由于測(cè)試條件不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．檢查跨導(dǎo)

將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高。

注意事項(xiàng)：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管，測(cè)量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。

（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管，本檢測(cè)方法中的1、2項(xiàng)不再適用。

（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊，專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。

（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。

（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達(dá)到30W。

（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。

單向可控硅、雙向可控硅檢測(cè)

可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。 單向可控硅有陽(yáng)極 A 、陰極 K 、控制極 G 三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽(yáng)極 A1 （ T1 ），第二陽(yáng)極 A2 （ T2 ）、控制極 G 三個(gè)引出腳。

只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。

雙向可控硅第一陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和第一陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)?shù)谝魂?yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)�，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。

 單向可控硅的檢測(cè)。 萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

雙向可控硅的檢測(cè)。 用萬(wàn)用表電阻 R*1Ω 擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為第一陽(yáng)極 A1 和控制極 G ，另一空腳即為第二陽(yáng)極 A2 。確定 A1 、 G 極后，再仔細(xì)測(cè)量 A1 、 G 極間正、反向電阻，讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為第一陽(yáng)極 A1 ，紅表筆所接引腳為控制極 G 。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)極 A2 ，紅表筆接第一陽(yáng)極 A1 ，此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。再用短接線將 A2 、 G 極瞬間短接，給 G 極加上正向觸發(fā)電壓， A2 、 A1 間阻值約 10 歐姆左右。隨后斷開 A2 、 G 間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持 10 歐姆左右�；�換紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽(yáng)極 A2 ，黑表筆接第一陽(yáng)極 A1 。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，阻值為無(wú)窮大。用短接線將 A2 、 G 極間再次瞬間短接，給 G 極加上負(fù)的觸發(fā)電壓， A1 、 A2 間的阻值也是 10 歐姆左右。隨后斷開 A2 、 G 極間短接線，萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在 10 歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測(cè)雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。 檢測(cè)較大功率可控硅時(shí)，需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié) 1.5V 干電池，以提高觸發(fā)電壓。 晶閘管 ( 可控硅 ) 的管腳判別 晶閘管管腳的判別可用下述方法： 先用萬(wàn)用表 R*1K 擋測(cè)量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽(yáng)極。再將萬(wàn)用表置于 R*10K 擋，用手指捏住陽(yáng)極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動(dòng)，說明紅表筆所接為陰極，不擺動(dòng)則為控制極。

各種晶閘管(可控硅)的檢測(cè)方法

1．單向晶閘管的檢測(cè)
(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知，其門極G與陰極K極之間為一個(gè)PN結(jié)，具有單向?qū)щ娞匦�，而�?yáng)極A與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬(wàn)用表的R×100或R×1 k Q檔測(cè)量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。
具體方法是：將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測(cè)量中，紅表筆接的是陽(yáng)極A，若兩次測(cè)出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。
也可以測(cè)任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無(wú)窮大，則兩極即為陽(yáng)極A和陰極K，而另一腳即為門極G。
普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。
例如：螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。
平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽(yáng)極A，另一端為陰極K。
金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽(yáng)極A。
塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽(yáng)極A，且多與自帶散熱片相連。
圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。

 
(2)判斷其好壞：用萬(wàn)用表R×1 kΩ檔測(cè)量普通晶閘管陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻，正常時(shí)均應(yīng)為無(wú)窮大(∞)；若測(cè)得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小，則說明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。
測(cè)量門極G與陰極K之間的正、反向電阻值，正常時(shí)應(yīng)有類似二極管的正、反向電阻值(實(shí)際測(cè)量結(jié)果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些)，即正向電阻值較小(小于2 kΩ)，反向電阻值較大(大于80 kΩ)。若兩次測(cè)量的電阻值均很大或均很小，則說明該晶閘管G、K極之間開路或短路。若正、反電阻值均相等或接近，則說明該晶閘管已失效，其G、K極問PN結(jié)已失去單向?qū)щ娮饔谩?
測(cè)量陽(yáng)極A與門極G之間的正、反向電阻，正常時(shí)兩個(gè)阻值均應(yīng)為幾百千歐姆(kΩ)或無(wú)窮大，若出現(xiàn)正、反向電阻值不一樣(有類似二極管的單向?qū)щ?。則是G、A極之間反向串聯(lián)的兩個(gè)PN結(jié)中的一個(gè)已擊穿短路。
(3)觸發(fā)能力檢測(cè)：對(duì)于小功率(工作電流為5 A以下)的普通晶閘管，可用萬(wàn)用表R×1檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，此時(shí)表針不動(dòng)，顯示阻值為無(wú)窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь�將晶閘管的陽(yáng)極A與門極短路(見圖2)，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動(dòng)，只將G

極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng)，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。

對(duì)于工作電流在5 A以上的中、大功率普通晶閘管，因其通態(tài)壓降VT維持電流IH及門極觸發(fā)電壓Vo均相對(duì)較大，萬(wàn)用表R×1 kΩ檔所提供的電流偏低，晶閘管不能完全導(dǎo)通，故檢測(cè)時(shí)可在黑表筆端串接一只200 Ω可調(diào)電阻和1～3節(jié)1．5 V干電池(視被測(cè)晶閘管的容量而定，其工作電流大于100 A的，應(yīng)用3節(jié)1．5 V干電池)，如圖3所示。 
 
也可以用圖4中的測(cè)試電路測(cè)試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中，vT為被測(cè)晶閘管，HL為6．3 V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6 V電源(可使用4節(jié)1．5 V干電池或6 V穩(wěn)壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。

 
當(dāng)按鈕S未接通時(shí)，晶閘管VT處于阻斷狀態(tài)，指示燈HL不亮(若此時(shí)HL
亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發(fā)電壓)，若指示燈HL一直點(diǎn)亮，則說明 晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導(dǎo)通壓降大(正常時(shí)導(dǎo)通壓降應(yīng)為1 v左右)。若按鈕S接通時(shí)，指示燈亮，而按鈕S斷開時(shí)，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發(fā)性能不良。

2．雙向晶閘管的檢測(cè)
(1)判別各電極：用萬(wàn)用表R×1或R×10檔分別測(cè)量雙向晶閘管三個(gè)引腳間的正、反向電阻值，若測(cè)得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。
找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測(cè)量這兩腳之間的正、反向電阻值，會(huì)測(cè)得兩個(gè)均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測(cè)量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。
螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。
金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。
塑封(TO—220)雙向晶閘管的中間引腳為主電極T2，該極通常與自帶小散熱片相連。
圖5是幾種雙向晶閘管的引腳排列。

 
 
(2)判別其好壞：用萬(wàn)用表R×1或R×10檔測(cè)量雙向晶閘管的主電極T1與主電極T2之間、主電極T2與門極G之間的正、反向電阻值，正常時(shí)均應(yīng)接近無(wú)窮大。若測(cè)得電阻值均很小，則說明該晶閘管電極問已擊穿或漏電短路。
測(cè)量主電極T1與門極G之問的正、反向電阻值，正常時(shí)均應(yīng)在幾十歐姆(Ω)至一百歐姆(Ω)之間(黑表筆接T1極，紅表筆接G極時(shí)，測(cè)得的正向電阻值較反向電阻值略小一些)。若測(cè)得T1極與G極之間的正、反向電阻值均為無(wú)窮大，則說明該晶閘管已開路損壞。
(3)觸發(fā)能力檢測(cè)：對(duì)于工作電流為8 A以下的小功率雙向晶閘管，可用萬(wàn)用表R×1檔直接測(cè)量。測(cè)量時(shí)先將黑表筆接主電極T2，紅表筆接主電極T1，然后用鑷子將T2極與門極G短路，給G極加上正極性觸發(fā)信號(hào)，若此時(shí)測(cè)得的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)槭畮讱W姆(Ω)，則說明該晶閘管已被觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門2→T1。
再將黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，用鑷子將T2極與門極G之間短路，給G極加上負(fù)極性觸發(fā)信號(hào)時(shí)，測(cè)得的電阻值應(yīng)由無(wú)窮大變?yōu)槭畮讱W姆，則說明該晶閘管已被觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)通方向?yàn)門1→T2。
若在晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后斷開G極，T2、T1極間不能維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)而阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說明該雙向晶閘管性能不良或已經(jīng)損壞。若給G極加上正(或負(fù))極性觸發(fā)信號(hào)后，晶閘管仍不導(dǎo)通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無(wú)窮大)，則說明該晶閘管已損壞，無(wú)觸發(fā)導(dǎo)通能力。
對(duì)于工作電流在8 A以上的中、大功率雙向晶閘管，在測(cè)量其觸發(fā)能力時(shí)，可先在萬(wàn)用表的某支表筆上串接1～3節(jié)1．5 V干電池，然后再用R×1檔按上述方法測(cè)量。
對(duì)于耐壓為400 V以上的雙向晶閘管，也可以用220 V交流電壓來測(cè)試其觸發(fā)能力及性能好壞。
圖6是雙向晶閘管的測(cè)試電路。電路中，F(xiàn)L為60 W／220 V白熾燈泡，VT為被測(cè)雙向晶閘管，R為100Ω限流電阻，S為按鈕。

將電源插頭接入市電后，雙向晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài)，燈泡不亮(若此時(shí)燈泡正常發(fā)光，則說明被測(cè)晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短 路；若燈泡微亮，則說明被測(cè)晶閘管漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S，為晶閘管的門極G提供觸發(fā)電壓信號(hào)，正常時(shí)晶閘管應(yīng)立即被觸發(fā)導(dǎo)通，燈泡正常發(fā)光。若燈泡不能發(fā)光，則說明被測(cè)晶閘管內(nèi)部開路損壞。若按動(dòng)按鈕s時(shí)燈泡點(diǎn)亮，松手后燈泡又熄滅，則表明被測(cè)晶閘管的觸發(fā)性能不良。

3.門極關(guān)斷晶閘管的檢測(cè)
1)判別各電極：門極關(guān)斷晶閘管三個(gè)電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬(wàn)用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個(gè)電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測(cè)量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽(yáng)極A。
(2)觸發(fā)能力和關(guān)斷能力的檢測(cè)：可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)能力的檢測(cè)方法與普通晶閘管相同。檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷能力時(shí)，可先按檢測(cè)觸發(fā)能力的方法使晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)，即用萬(wàn)用表R×1檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得電阻值為無(wú)窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發(fā)信號(hào)時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通，其A、K極間電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥锠顟B(tài)。斷開A極與G極的短路點(diǎn)后，晶閘管維持低阻導(dǎo)通狀
態(tài)，說明其觸發(fā)能力正常。再在晶閘管的門極G與陽(yáng)極A之間加上反向觸發(fā)信號(hào)，若此時(shí)A極與K極間電阻值由低阻值變?yōu)闊o(wú)窮大，則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常，圖7是關(guān)斷能力的檢測(cè)示意圖。

 
也可以用圖8所示電路來檢測(cè)門極關(guān)斷晶閘管的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力。電路中，EL為6．3 V指示燈(小電珠)，S為轉(zhuǎn)換開關(guān)，VT為被測(cè)晶閘管。當(dāng)開關(guān)S關(guān)斷時(shí)，晶閘管不導(dǎo)通，指示燈不亮。將開關(guān)S的K1觸點(diǎn)接通時(shí)，為G極加上正向觸發(fā)信號(hào)，指示燈亮，說明晶閘管已被觸發(fā)導(dǎo)通。若將開關(guān)S斷開，指示燈維持發(fā)光，則說明晶閘管的觸發(fā) 能力正常。若將開關(guān)s的K2觸點(diǎn)接通，為G極加上反向 觸發(fā)信號(hào)，指示燈熄滅，則說明晶閘管的關(guān)斷能力正常。

4．溫控晶閘管的檢測(cè)
(1)判別各電極：溫控晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通晶 閘管相似，因此也可以用判別普通晶閘管電極的方法 來找出溫控晶閘管的各電極。
(2)性能檢測(cè)：溫控晶閘管的好壞也可以用萬(wàn)用表 大致測(cè)出來，具體方法可參考普通晶閘管的檢測(cè)方法。
圖9是溫控晶閘管的測(cè)試電路。電路中，R是分流 電阻，用來設(shè)定晶閘管VT的開關(guān)溫度，其阻值越小，開 關(guān)溫度設(shè)置值就越高。c為抗干擾電容，可防止晶閘管 vT誤觸發(fā)。HL為6．3 v指示燈(小電珠)，S為電源開關(guān)。 
 
接通電源開關(guān)s后，晶閘管VT不導(dǎo)通，指示燈HL不亮。用電吹風(fēng)“熱風(fēng)檔”給晶閘管VT加溫，當(dāng)其溫度達(dá)到設(shè)定溫度值時(shí)，指示燈亮，說明晶閘管VT已被觸發(fā)導(dǎo)通。若再用電吹風(fēng)“冷風(fēng)”檔給晶閘管VT降溫(或待其自然冷卻)至一定溫度值時(shí)，指示燈能熄滅，則說明該晶閘管性能良好。若接通電源開關(guān)后指示燈即亮或給晶閘管加溫后指示燈不亮，或給晶閘管降溫后指示燈不熄滅，則是被測(cè)晶閘管擊穿或性能不良。

5.光控晶閘管檢測(cè)
用萬(wàn)用表檢測(cè)小功率光控晶閘管時(shí)，可將萬(wàn)用表置于R×1檔，在黑表筆上串接1～3節(jié)1．5 V干電池，測(cè)量?jī)梢�腳之間的正、反向電阻值，正常時(shí)均應(yīng)為無(wú)窮大。然后再用小手電筒或激光筆照射光控晶閘管的受光窗口，此時(shí)應(yīng)能測(cè)出一個(gè)較小的正向電阻值，但反向電阻值仍為無(wú)窮大。在較小電阻值的一次測(cè)量中，黑表筆接的是陽(yáng)極A，紅表筆接的是陰極K。
也可用圖lO中電路對(duì)光控晶閘管進(jìn)行測(cè)量。接通電源開關(guān)S，用手電筒照射晶閘管VT的受光窗口。為其加上觸發(fā)光源(大功率光控晶閘管自帶光源，只要將其光纜中的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器加上工作電壓即可，不用外加光源)后，指示燈EL應(yīng)點(diǎn)亮，撤離光源后指示燈EL應(yīng)維持發(fā)光。

若接通電源開關(guān)S后(尚未加光源)，指示燈FL即點(diǎn)亮，則說明被測(cè)晶閘管已擊穿短路。若接通電源開關(guān)、并加上觸發(fā)光源后，指示燈EL仍不亮，在被測(cè)晶閘管電極連接正 確的情況下，則是該晶閘管內(nèi)部損壞。若加上觸發(fā)光源后，指示燈發(fā)光，但取消光源后指示燈即熄滅，則說明該晶閘管觸發(fā)性能不良。
6.BTG晶閘管的檢測(cè)
(1)判別各電極：根據(jù)BTG晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可知，其陽(yáng)極A、陰極K之間和門極G、陰極K之間均包含有多個(gè)正、反向串聯(lián)的PN結(jié)，而陽(yáng)極A與門極G之問卻只有一個(gè)PN結(jié)。因此，只要用萬(wàn)用表測(cè)出A極和G極即可。
將萬(wàn)用表置于R×1 kΩ檔，兩表筆任接被測(cè)晶閘管的某兩個(gè)引腳(測(cè)其正、反向電阻值)，若測(cè)出某對(duì)引腳為低阻值時(shí)，則黑表筆接的陽(yáng)極A，而紅表筆接的是門極G，另外一個(gè)引腳即是陰極K。
(2)判斷其好壞：用萬(wàn)用表R×1 kΩ檔測(cè)量BTG晶閘管各電極之間的正、反向電阻值。正常時(shí)，陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻均為無(wú)窮大；陽(yáng)極A與門極G之間的正向電阻值(指黑表筆接A極時(shí))為幾百歐姆至幾千歐姆，反向電阻值為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的正、反向電阻值均很小，則說明該晶閘管已短路損壞。
(3)觸發(fā)能力檢測(cè)：將萬(wàn)用表置于R×1 Ω檔，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，測(cè)得阻值應(yīng)為無(wú)窮大。然后用手指觸摸門極G，給其加一個(gè)人體感應(yīng)信號(hào)，若此時(shí)A、K極之間的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)榈妥柚?數(shù)歐姆)，則說明晶閘管的觸發(fā)能力良好。否則說明此晶閘管的性能不良。