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會員注冊一、單結晶體管的結構和等效電路
單結晶體管的外形很象晶體三極管，它也有三個電極，稱為發射極e，第一基極b1，第二基極b2，又叫雙基極二極管。因為只有一個PN結所以又稱為單結晶體管。外形及符號如圖(a)、(b)所示。圖中發射極箭頭指向b1，表示經PN結的電流只流向b1極。單結管的等效電路如圖(C)所示，rb1表示e與b1之間的等效電阻，它的阻值受e-b1間電壓的控制，所以等效為可變電阻。兩個基極之間的電阻用Rbb表示，即：Rbb=Rb1+Rb2，Rb1與Rbb的比值稱為分壓比h=Rb1/Rbb，h一般在0.3～0.8之間。
二、工作原理和特性曲線
伏安特性變化如圖所示。
★圖中，當VBB固定，等效電路中，A點對b1的電壓UA=hVBB為定值。當Ue較小時，Ue<UA，PN結反偏，此時只有很小的反向漏電流IEO（幾微安）如圖中曲線“1”段。
★當Ue增大，Ue=UA時，PN結處于零偏，iE=0。
★Ue繼續增大，當Ue>UA，iE開始大于零，由于硅二極管的正向壓降為0.7V，所以iE不會有顯著的增加，這個電壓稱為峰值電壓UP，對應電流稱為峰值電流IP。這一區域稱為截止區。
★Ue繼續增加，Ue>UA，管子轉向導通，PN結電流開始顯著增加，這時將有大量的空穴進入基區，e、b1間載流子大量增加，使rb1迅速減小，而rb1的減小又使UA降低，導致iE又進一步加大，這種正反饋的過程，使iE急劇增加UA下降，單結管呈現了負阻特性，圖中曲線“2”線段，到了“C”點負阻特性結束，C點電壓UV稱為谷點電壓，一般為1～2.5V，對應的電流稱為谷點電流Iv，一般為幾毫安。
★過了谷點之后，繼續增加Ue，iE～Ue曲線形狀接近二極管導通時的正向特性曲線。如曲線“3”線段，此時稱為飽和區。飽和壓降一般小于4～5V。
★當改變VBB電壓，改變了閥值電壓UA，曲線的峰點電壓也隨之改變。
三、應用舉例
振蕩：指在沒有輸入信號的情況下，電路輸出一定頻率、一定幅值的電壓或電流信號。
如圖所示為單結晶體管組成的振蕩電路，其工作原理如下：
★當合閘通電時，電容C上的電壓為零，管子截止，電源VBB通過電阻R對C充電，隨時間增長電容上電壓 
(即 
)逐漸增大；
★一旦 增大到峰點電壓UP后，管子進入負阻區，輸入端等效電阻急劇減小，使C通過管子的輸入回路迅速放電， 兩端電壓隨之減小，一旦 減小到谷點電壓UV后，管子截止；
★電容又開始充電，重復上述過程。
由于充電時間常數遠大于放電時間常數，當穩定振蕩時，電容上電壓的波形如圖所示。
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