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會員注冊1．MLCC與其它種類電容器對比
電容的種類有很多，可以從原理上分為：無極性可變電容、無極性固定電容、有極性電容等，從材料上分主要有：CBB 電容（聚乙烯） ，滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨石電容(即貼片電容或MLCC)、電解電容、鉭電容等。下表是各種電容的優缺點：
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各 種 電 容 的 優 缺 點 比 較 | ||||
| 名稱 | 極性 | 制作 | 優點 | 缺點 |
| 無感 CBB電容 | 無 | 聚丙乙烯塑料和金屬箔交 替夾雜捆綁而成。 | 無感，高頻特性好。 | 不宜做大容量電容；價 格較高； 耐熱性能較差。 |
| CBB電容 | 無 | 聚乙烯塑料和金屬箔交替 夾雜捆綁而成。 | 有感，高頻特性好， 體積較小。 | |
| 瓷片電容 | 無 | 薄瓷片兩面銀電極制成。 | 體積小，耐壓高。 | 體積大；易碎；容量低 |
| 獨石電容 | 無 | 陶瓷介質膜片與印刷電極 交替疊壓，高溫共燒制成 | 體積小，適用于 SMT；高頻特性好。 | |
| 電解電容 | 無 | 鋁帶和絕緣膜相互層疊， 轉捆后浸漬電解液而成。 | 容量大。 | 高頻特性不好， 耐壓低。 |
| 鉭電容 | 無 | 用金屬鉭作為正極，在電 解質外噴金屬負極。 | 穩定性好，容量大， 高頻特性好。 | 高頻特性不好， 耐壓低。 |
2．MLCC與其它種類電容器對比
A. 結構示意圖
B. 原理公式： C = K×M×N / T
| K：介電常數 | ||
| C：容量 | M：正對面積 | T：介質厚度 |
| N：疊層層數 |
C. 各組成部分功能解釋
陶瓷介質：電場作用下，極化介電儲能，電場變化時極化率隨之發生變化，不同介質種類由于它的主要極化類型不一樣，其對電場變化的響應速度和極化率亦不一樣。
| 介質類型 | TCC特性 | 主要極化類型 | 極化率對比（?值） | 電場響應速度 |
| I 類介電陶瓷 | COG | 離子極化 | 較小<100 | 很快 |
| II 類介電陶瓷 | X7R | 鐵電疇 | 較大1000~5000 | 較慢 |
| Y5V(Z5U) | 鐵電疇 | 很大>10000 | 慢 |
內電極：它與陶瓷介質交替疊層，提供電極板正對面積；
PME-Ag/Pd ：主要在X7R和 Y5V中高壓MLCC產品系列中，材料成本高。
BME-Ni：目前大部分產品均為Ni內電極，材料成本低，但需要還原氣氛燒結。
端電極：
基 層：銅金屬電極或銀金屬電極，與內電極相連接，引出容量。
阻擋層：鎳鍍層，熱阻擋作用，可焊的鎳阻擋層能避免焊接時Sn層熔落。
焊接層：Sn鍍層，提供焊接金屬層。
3．MLCC的設計制造
A. 材料選用
瓷粉：它是產品質量水平高低的決定性因素，采用技術不成熟的瓷粉材料會存在重大的
質量事故隱患。
進口：北美中溫燒結瓷粉、日本高溫燒結瓷粉均較成熟。
國產材料：I 類低 K值瓷粉較成熟。
內漿：它是產品質量水平關鍵因素，基本要求是與瓷粉材料的匹配性好，如采用 與瓷粉材料匹配性不良的內漿制作MLCC，其可靠性會大大下降。
端漿：它是產品性能高低的重要因素，如端漿選用不當，則所制作的端電極電氣及機械性能低。
B. 工藝流程
4．MLCC的性能
A. 常規電性能
C ：容量范圍 0.5~10000000pf
DF：損耗最為標準的寫法：使用百分率寫法 例如：COG 要求〈0.015%；X7R<2.5%
Y5V<3.5% 一般地 COG 類<10*10-4 ; X7R類<250*10-4;Y5V類<500*10-4
BV：一般為直流擊穿電壓（BDV）
IR：絕緣電阻，一般地COG 類>1000?F, X7R和Y5V類 >500?F
B. 幾個值得關注的參數
TCC：溫度容量特性，注意同為 X7R產品其常溫附近的容量穩定性不一樣。
ESR：等效串聯電阻
ESL：等效串聯電感
Q 值：是DF、ESR、ESL的綜合，在高頻電路中加倍關注。
C. 可靠性
高壓壽命試驗
抗彎曲試驗
耐焊接熱試驗
5．MLCC的選用
A. 標稱容量：
B. 額定電壓：
C. 容量誤差級別：
D. 尺寸規格要求
E. 其它要求
材料特性（TCC） ：COG X7R Y5V
ESR、ESL、Q 值：采用 COG 用于高頻諧振電路時。
交流擊穿壓：交流電路，電壓變化較大時。
6．MLCC使用注意事項
檢測：檢測方法要正確，容量會因檢測設備的不同而有偏差；
搬運與儲存：注意防潮，Y5V與X7R產品存放時間太長，容量變化較大。
焊接：片式瓷介電容器的端頭可適用于多種焊接方法。通常推薦具有抗侵蝕的三層鍍鎳阻擋層端電級；對環氧粘接，建議使用鈀-銀端電極。無論哪一種焊接方法均需注意預熱，尤其是對大規格產品。
清洗：焊料會一定情度影響絕緣電阻，保證清洗。
7．MLCC技術發展簡介
綠色環保：無鎘、無鉛要求
小型化：移動通訊
薄介質大容量化：替代鋁、鉭電容
殘金屬化：降成本
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