一般的，我們用由上而下的層級來認(rèn)識(shí)集成電路，這樣便于理解，也更有條理些。

　�。�1）系統(tǒng)級

　　以手機(jī)為例，整個(gè)手機(jī)是一個(gè)復(fù)雜的電路系統(tǒng)，它可以打電話、可以玩游戲、可以聽音樂、可以嗶--。它由多個(gè)芯片以及電阻、電感、電容相互連接而成，稱為系統(tǒng)級。（當(dāng)然，隨著技術(shù)的發(fā)展，將一整個(gè)系統(tǒng)做在一個(gè)芯片上的技術(shù)也已經(jīng)出現(xiàn)多年——SoC技術(shù)）

　�。�2）模塊級

　　在整個(gè)系統(tǒng)中分為很多功能模塊各司其職。有的管理電源，有的負(fù)責(zé)通信，有的負(fù)責(zé)顯示，有的負(fù)責(zé)發(fā)聲，有的負(fù)責(zé)統(tǒng)領(lǐng)全局的計(jì)算，等等。我們稱為模塊級。這里面每一個(gè)模塊都是一個(gè)宏大的領(lǐng)域，都聚集著無數(shù)人類智慧的結(jié)晶，也養(yǎng)活了很多公司。

　�。�3）寄存器傳輸級（RTL）

　　那么每個(gè)模塊都是由什么組成的呢？以占整個(gè)系統(tǒng)較大比例的數(shù)字電路模塊（它專門負(fù)責(zé)進(jìn)行邏輯運(yùn)算，處理的電信號都是離散的0和1）為例。它是由寄存器和組合邏輯電路組成的。

　　所謂寄存器就是一個(gè)能夠暫時(shí)存儲(chǔ)邏輯值的電路結(jié)構(gòu)，它需要一個(gè)時(shí)鐘信號來控制邏輯值存儲(chǔ)的時(shí)間長短。

　　現(xiàn)實(shí)中，我們需要時(shí)鐘來衡量時(shí)間長短，電路中也需要時(shí)鐘信號來統(tǒng)籌安排。時(shí)鐘信號是一個(gè)周期穩(wěn)定的矩形波。現(xiàn)實(shí)中秒鐘動(dòng)一下是我們的一個(gè)基本時(shí)間尺度，電路中矩形波震蕩一個(gè)周期是它們世界的一個(gè)時(shí)間尺度。電路元件們根據(jù)這個(gè)時(shí)間尺度相應(yīng)地做出動(dòng)作，履行義務(wù)。

　　組合邏輯呢，就是由很多“與（AND）、或（OR）、非（NOT）”邏輯門構(gòu)成的組合。比如兩個(gè)串聯(lián)的燈泡，各帶一個(gè)開關(guān)，只有兩個(gè)開關(guān)都打開，燈才會(huì)亮，這叫做與邏輯。

　　一個(gè)復(fù)雜的功能模塊正是由這許許多多的寄存器和組合邏輯組成的。把這一層級叫做寄存器傳輸級。

　　圖中的三角形加一個(gè)圓圈是一個(gè)非門，旁邊的器件是一個(gè)寄存器，D是輸入，Q是輸出，clk端輸入時(shí)鐘信號。

　　（4）門級

　　寄存器傳輸級中的寄存器其實(shí)也是由與或非邏輯構(gòu)成的，把它再細(xì)分為與、或、非邏輯，便到達(dá)了門級（它們就像一扇扇門一樣，阻擋/允許電信號的進(jìn)出，因而得名）。

　　（5）晶體管級

　　無論是數(shù)字電路還是模擬電路，到最底層都是晶體管級了。所有的邏輯門（與、或、非、與非、或非、異或、同或等等）都是由一個(gè)個(gè)晶體管構(gòu)成的。因此集成電路從宏觀到微觀，達(dá)到最底層，滿眼望去其實(shí)全是晶體管以及連接它們的導(dǎo)線。

　　早期的時(shí)候雙極性晶體管（BJT）用的比較多，俗稱三極管。它連上電阻、電源、電容，本身就具有放大信號的作用。像堆積木一樣，可以用它構(gòu)成各種各樣的電路，比如開關(guān)、電壓/電流源電路、上面提到的邏輯門電路、濾波器、比較器、加法器甚至積分器等等。由BJT構(gòu)建的電路我們稱為TTL（Transistor-Transistor Logic）電路。BJT的電路符號長這個(gè)樣子：

　　后來金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的出現(xiàn)，以優(yōu)良的電學(xué)特性、超低的功耗橫掃IC領(lǐng)域。除了模擬電路中BJT還有身影外，基本上現(xiàn)在的集成電路都是由MOS管組成的了。同樣的，由它也可以搭起來成千上萬種電路。而且它本身也可以經(jīng)過適當(dāng)連接用來作電阻、電容等基本電路元件。MOSFET的電路符號如下：

　　如上所述，在實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)中，芯片的制造，實(shí)際上就是成千上萬個(gè)晶體管的制造過程。

　　現(xiàn)實(shí)中制造芯片的層級順序就要反過來了，從最底層的晶體管開始一層層向上搭建。

　　基本上，按照“晶體管->芯片->電路板” 的順序，我們最終可以得到電子產(chǎn)品的核心部件——電路板。

　　想直接看芯片制造的可以直接空降至此。

　　下文中的光刻機(jī)主要指步進(jìn)式和掃描式光刻機(jī)。

　　1. 首先我們知道，光刻的大致流程是，一個(gè)晶圓（wafer）（通常直徑為300mm）上涂一層光刻膠，然后光線經(jīng)過一個(gè)已經(jīng)刻有電路圖案（pattern）的掩膜版（mask or reticle）照射到晶圓上，晶圓上的光刻膠部分感光（對應(yīng)有圖案的部分），接著做后續(xù)的溶解光刻膠、蝕刻晶圓等處理。然后再涂一層光刻膠，重復(fù)上述步驟幾十次，以達(dá)到所需要求；

　　2. 簡化結(jié)構(gòu)請看下圖。掩膜版和晶圓各自安裝在一個(gè)運(yùn)動(dòng)平臺(tái)上（reticle stage and wafer stage）。光刻時(shí)，兩者運(yùn)動(dòng)到規(guī)定的位置，光源打開。光線通過掩膜版后，經(jīng)過透鏡，該透鏡能夠?qū)㈦娐穲D案縮小至原來的四分之一，然后投射到晶圓上，使光刻膠部分感光。

　　3. 一塊晶圓上有很多die，每一個(gè)die上都刻有相同的電路圖案，即一塊晶圓可以出產(chǎn)很多芯片。一個(gè)die典型的尺寸是26×32mm。光刻機(jī)主要有兩種，一種叫做stepper，即掩膜版和晶圓上的某一個(gè)die運(yùn)動(dòng)到位后，光源開、閉，完成一次光刻，然后晶圓運(yùn)動(dòng)使得下一個(gè)die到位，再進(jìn)行一次光刻，依此類推。而另一種光刻機(jī)叫做scanner，即光線被限制在一條縫的區(qū)域內(nèi)，光刻時(shí)，掩膜版和晶圓同時(shí)運(yùn)動(dòng)，使光線以掃描的方式掃過一個(gè)die的區(qū)域，從而將電路圖案刻在晶圓上（見下圖(b)）。scanner比stepper的優(yōu)勢在于，可以提供更大的die的尺寸。其原因在于，對于一個(gè)固定尺寸的圓透鏡，比如直徑32mm的圓（指投射后的區(qū)域大�。�，其允許透過的光線的區(qū)域尺寸是受限的。若采用stepper的step-and-expose方式進(jìn)行光刻，一個(gè)die的區(qū)域必須能被包含在直徑32mm的圓中，因此能獲得的最大的die的尺寸為22×22mm；若采用scanner的step-and-scan方式，透鏡能夠提供的矩形區(qū)域長度可以到26mm（26×8mm）甚至更長，將光縫設(shè)置為這個(gè)尺寸，使用掃描的方式便可以獲得26×Lmm的區(qū)域（L為掃描長度）。區(qū)域示意見下圖(a)。同樣的透鏡在stepper下可以實(shí)現(xiàn)更大區(qū)域的意義在于，當(dāng)你需要生產(chǎn)尺寸較大的芯片的時(shí)候，換一個(gè)更大的透鏡的費(fèi)用是昂貴的。

　　4. Scanner的step-and-scan過程的示意圖如下：

　　5. 為了使每層的電路相互之間不發(fā)生干涉，需要對上下平臺(tái)進(jìn)行精密運(yùn)動(dòng)控制。掃描時(shí)上下平臺(tái)應(yīng)處于勻速運(yùn)動(dòng)階段。目前最小的層疊誤差小于2nm（單個(gè)機(jī)器內(nèi)）或3nm（不同機(jī)器間）。

　　6. 光源的波長一般為365、248、193、157甚至13.5 nm（EUV， Extreme Ultraviolet）。因?yàn)楣饪踢^程受到衍射限制，光源波長越小，能夠做出的芯片尺寸就越小。

　　7. 在透鏡和晶圓之間加入折射率大于1的液體（如水），可以減小光線波長，從而提高NA（數(shù)值孔徑）和分辨率。這種光刻機(jī)叫浸潤式（immersion）光刻機(jī)。

　　8. 世界上做高端光刻機(jī)的廠家主要有ASML、Nikon和Canon。佳能大概已經(jīng)不行了。Nikon每年開個(gè)會(huì)叫做LithoVision。